【摘要】采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点 .通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进行了研究 ,对生长的温度和时间进行了优化 .采用硼预淀积的方法得到了尺寸分布小于 3 %的均匀的圆顶形Ge量子点 .采用低温光荧光测量了多层量子点的光学特性 .在 10K的PL谱可以观察到明显的蓝移现象 ,表明量子点中较强的量子限制效应 .量子点非声子峰的半高宽约为 46meV ,表明采用UHV/CVD工艺生长的多层量子点具有较窄的尺寸分布 .
【关键词】
全文来源于知网
光镊力谱系统双光束串扰因素研究
胡春光, 王国庆, 李宏斌, 胡晓东,
2017
32
7
￥:0
收藏
空中光电位姿测量系统的抗干扰方法
王向军, 吕博
2017
78
6
￥:0
收藏
1000～2500 nm宽波段的葡萄糖吸收光谱的测量波长优选
张紫杨, 孙迪, 刘冰洁, 孙翠迎, 刘
2017
193
6
￥:0
收藏
视频中运动电车电线的实时自动检测跟踪算法
刘见昕, 蒲灿, 柴晓飞, 孔昭松, 汪
2017
199
7
￥:0
收藏
防护热板法快速测量物质导热系数
索亚运, 李艳宁
2017
287
6
￥:0
收藏
