【摘要】利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度的增大而减小.然而,对一个宽槽来说,由于等离子区内边界层的变形,其蚀刻宽度会随着蚀刻深度的增加而增加.在许多应用中,硅蚀刻轮廓侧面的垂直状况是一个关键性问题.叙述了分离式垂直镜的加工过程;研究了影响蚀刻轮廓的各种重要参数.经过引入多步制法与优化激励源、基底偏压源及加工压力,减小了等离子区边界层内的变形,改善了轮廓的蚀刻状况.得到的结果为:120μm高垂直微镜垂直度为89.7°,200μm高垂直微镜垂直度为89.3°.
【关键词】
全文来源于知网
光镊力谱系统双光束串扰因素研究 胡春光, 王国庆, 李宏斌, 胡晓东, 2017 32 7 ¥:0
收藏
空中光电位姿测量系统的抗干扰方法 王向军, 吕博 2017 78 6 ¥:0
收藏
1000~2500 nm宽波段的葡萄糖吸收光谱的测量波长优选 张紫杨, 孙迪, 刘冰洁, 孙翠迎, 刘 2017 193 6 ¥:0
收藏
视频中运动电车电线的实时自动检测跟踪算法 刘见昕, 蒲灿, 柴晓飞, 孔昭松, 汪 2017 199 7 ¥:0
收藏
防护热板法快速测量物质导热系数 索亚运, 李艳宁 2017 287 6 ¥:0
收藏