【摘要】利用激光烧蚀沉积法在n-Si(100)衬底上制备非晶硅(-αSi)薄膜,再经过高温退火技术处理使-αSi晶化成纳米硅晶体(nc-Si)量子点.利用拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM)等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征,发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀,具有很好的单晶结构,制备的nc-Si薄膜晶化比例很高,并且优先选择在[111]方向晶化.
【关键词】
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