【摘要】针对使用原子力显微镜测量纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度的参数表征问题进行了研究.在对线边缘粗糙度的定义与现有测量方法进行分析的基础上,采用图像处理技术分析硅刻线的原子力显微镜测量图像的线边缘粗糙度特征,提出了线边缘粗糙度的幅值与空间频率的表征方法.其中幅值参数能够在一定意义上反映刻线边缘形貌的均匀性,而采用小波多分辨分析与功率谱密度函数(PSD)频谱分析相结合的空间频率表征方法,则有效地分析了侧墙轮廓边缘复杂的空间信息.实际测量结果表明,样本线边缘粗糙度的主要能量集中在低频区域,其主导空间频率为~0.04nm-1,在低频部分约500nm特征波长上有最大的线边缘粗糙度分布.
【关键词】
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