【摘要】通过局部加热系统中的化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)实现了碳纳米管(carbo nnanotube,CNT)和金刚石晶体的选择性生长.加热系统只加热硅衬底而对反应过程及担载气体没有加热作用.在衬底温度为700℃时,没有生成CNT或明显的金刚石颗粒.当温度升到740℃时,仍没有CNT生成,但是在模样化的铁膜上生成许多尺寸为几十纳米的金刚石颗粒.温度为770℃时,在铁膜的中央部位生成许多尺寸为几十到几百纳米的金刚石颗粒,而在铁膜的边缘部位可同时观测到一些CNT的生成.当温度达到850℃时,CNT的生长区域扩大而纳米金刚石的平均尺寸和生成密度减小.
【关键词】
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