【摘要】采用射频(radio frequency,RF,13.56.MHz)和直流偏压双重激励源,在等离子增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)系统下制备了康宁玻璃7059衬底上的氢化纳米硅薄膜.保持射频功率、反应室气压、直流偏压值和衬底温度等工艺参数不变的情况下,主要改变硅烷稀释度(silane concentration,SC)从1.%到0.5.%.当SC减小时,薄膜的晶态比Xc反而出现了增大现象,表明较低的SC有利于薄膜结构中晶态成分的形成.当SC减小到0.5.%时,Xc则出现最大值54.2.%.文中具有不同薄膜
【关键词】
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