【摘要】在硬盘盘基片的最终抛光中,研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni-P材料抛光性能的变化规律,获得较高的材料去除速率(MRR)和原子级光滑表面,以满足下一代硬盘盘基片制造的更高要求.结果表明,采用平均粒径25 nm的SiO2溶胶颗粒,易减少微划痕等缺陷;以过氧化氢为氧化剂,可大幅提高MRR;加入有机酸络合剂后,MRR显著增大,其中含有水杨酸的抛光液MRR最大,并讨论不同络合剂对盘基片去除的影响机理;丙三醇润滑剂的引入,使抛光中摩擦系数减小,盘基片的表面粗糙度得到明显降低.采用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜和Chapman MP2000+表面形貌仪来考察盘基片抛光后的
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