【摘要】提出一种基于SOI-MEMS技术的静电驱动-电容敏感检测的横向硅谐振器,对其进行设计、MEMS工艺加工制作实现、微弱电容检测及开环测试.该新型静电激励谐振器结构主要包含一个从中间受力点向两侧引出两个电极板的双端固支梁,这种设计使得此谐振器的静电驱动电压远小于具有相同电极板面积和极板间距的同类静电驱动谐振器,且检测电容更大,降低了检测难度.以器件层电阻率很低(0.001～0.002Ω·bcm)的SOI晶圆为基础材料,其SOI-MEMS加工工艺流程简单,仅需要2块掩膜版,有4个主要单步工艺.实验测试结果表明:在真空度为0.1～1.0 Pa环境下,直流偏置电压低至30 V,交流驱动电压峰-峰
【关键词】
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