【摘要】碳化硅(SiC)单晶基片已广泛应用于微电子、光电子等领域.本文针对传统游离磨料研磨加工的缺点,提出了固结磨料研磨SiC单晶基片技术,以前期研究的SiC单晶基片研磨膏配方,试制了一系列固结磨料研磨盘,研究了固结磨料研磨SiC单晶基片(0001)C面时的材料去除率、表面粗糙度及平面度,并与游离磨料研磨进行了对比.结果表明,固结磨料研磨后样品表面有深度较浅的划痕,游离磨料研磨后表面没有划痕,但表面呈凹坑状;游离磨料研磨后工件表面粗糙度轮廓最大高度Rz远大于固结磨料研磨;固结磨料研磨的材料去除率高于游离磨料,固结磨料研磨后的表面粗糙度Ra远低于游离磨料研磨,固结磨料研磨可提高平面度;研究结果可
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