【摘要】为了研制Si C高温电容式MEMS压力敏感元件以满足高温环境下压力参数测量,设计了一种基于P型4H-Si C减薄抛光工艺制备高温变间隙电容式压力传感器敏感元件结构方法;通过数值仿真,研究了敏感元件的性能,得到敏感元件输出电容随压力、温度的变化曲线;通过微机械加工工艺制备出了Si C电容式高温压力传感器敏感元件,研制出Si C电容式高温压力传感器原理样机,通过模拟高温压力传感器样机工作环境,搭建了高温微压测试平台并对原理样机进行性能测试;结果显示,样机在873.15 K下能够正常工作,灵敏度为18.7 f F/k Pa,非线性为12.60%,迟滞为0.47%,能够满足解调电路拾取压力信号
【关键词】
全文来源于知网
光镊力谱系统双光束串扰因素研究
胡春光, 王国庆, 李宏斌, 胡晓东,
2017
32
7
￥:0
收藏
空中光电位姿测量系统的抗干扰方法
王向军, 吕博
2017
78
6
￥:0
收藏
1000～2500 nm宽波段的葡萄糖吸收光谱的测量波长优选
张紫杨, 孙迪, 刘冰洁, 孙翠迎, 刘
2017
193
6
￥:0
收藏
视频中运动电车电线的实时自动检测跟踪算法
刘见昕, 蒲灿, 柴晓飞, 孔昭松, 汪
2017
199
7
￥:0
收藏
防护热板法快速测量物质导热系数
索亚运, 李艳宁
2017
287
6
￥:0
收藏
