【摘要】基于原子力显微镜(AFM)在硅(Si)表面进行局域阳极氧化的技术,以其成本低、易加工等优势被广泛应用于各种纳米元器件的制造.本文基于AFM在Si表面进行局域阳极氧化来制作纳米计量标准样板,首先分别在接触模式和轻敲模式下进行实验,定量分析了偏置电压、移动速率和刻蚀方向等主要参数对所得纳米线尺寸的影响,从而得到标准样板制作的最佳加工参数:在探针针尖电压为-7 V、移动速率为0.3μm/s、Z Distance值为-45 nm时,可以产生稳定的标准样板结构;同时两种模式下对纳米氧化线的影响趋势相同.最后在此最佳参数下,利用AFM在Si表面进行局域阳极氧化,加工得到了一维线光栅、二维光栅和圆形
【关键词】
全文来源于知网
光镊力谱系统双光束串扰因素研究
胡春光, 王国庆, 李宏斌, 胡晓东,
2017
32
7
￥:0
收藏
空中光电位姿测量系统的抗干扰方法
王向军, 吕博
2017
78
6
￥:0
收藏
1000～2500 nm宽波段的葡萄糖吸收光谱的测量波长优选
张紫杨, 孙迪, 刘冰洁, 孙翠迎, 刘
2017
193
6
￥:0
收藏
视频中运动电车电线的实时自动检测跟踪算法
刘见昕, 蒲灿, 柴晓飞, 孔昭松, 汪
2017
199
7
￥:0
收藏
防护热板法快速测量物质导热系数
索亚运, 李艳宁
2017
287
6
￥:0
收藏
