【摘要】LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。
【关键词】
全文来源于知网
北京同步辐射装置—3B1A束线，光刻实验站和LIGA实验站
伊福廷
2000
10
0
￥:0
收藏
北京同步辐射装置—高压衍射实验站
刘景
2000
53
0
￥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1B束线和XAFS实验站
谢亚宁
2000
132
0
￥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站
贾全杰
2000
233
0
￥:0
收藏
北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站
陶冶
2000
335
0
￥:0
收藏
