【摘要】本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延层的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。
【关键词】
全文来源于知网
北京同步辐射装置—3B1A束线,光刻实验站和LIGA实验站 伊福廷 2000 10 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—高压衍射实验站 刘景 2000 53 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1B束线和XAFS实验站 谢亚宁 2000 132 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站 贾全杰 2000 233 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站 陶冶 2000 335 0 ¥:0
收藏