【摘要】利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。
【关键词】
全文来源于知网
北京同步辐射装置—3B1A束线,光刻实验站和LIGA实验站 伊福廷 2000 10 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—高压衍射实验站 刘景 2000 53 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1B束线和XAFS实验站 谢亚宁 2000 132 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站 贾全杰 2000 233 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站 陶冶 2000 335 0 ¥:0
收藏