【摘要】X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。
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北京同步辐射装置—3B1A束线,光刻实验站和LIGA实验站 伊福廷 2000 10 0 ¥:0
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北京同步辐射装置—高压衍射实验站 刘景 2000 53 0 ¥:0
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北京同步辐射装置—4W1B束线和XAFS实验站 谢亚宁 2000 132 0 ¥:0
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北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站 贾全杰 2000 233 0 ¥:0
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北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站 陶冶 2000 335 0 ¥:0
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