【摘要】用小角X射线散射(SAXS),Raman谱,红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法(HWCVD)制备氢化微晶硅膜微结构,结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主,在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。
【关键词】
全文来源于知网
北京同步辐射装置—3B1A束线,光刻实验站和LIGA实验站 伊福廷 2000 10 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—高压衍射实验站 刘景 2000 53 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1B束线和XAFS实验站 谢亚宁 2000 132 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—4W1C束线和漫散射实验站 贾全杰 2000 233 0 ¥:0
收藏
北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站 陶冶 2000 335 0 ¥:0
收藏