【摘要】GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。
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北京同步辐射装置—3B1A束线，光刻实验站和LIGA实验站
伊福廷
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北京同步辐射装置—高压衍射实验站
刘景
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谢亚宁
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贾全杰
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北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站
陶冶
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