【摘要】利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为058和061eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光.
【关键词】
全文来源于知网
利用实时荧光PCR鉴定小体鲟物种的快速方法
丁健1 刘淑艳1 苏旺1 孙晓飞1 林长
2018
10
0
¥:0
收藏
基于四硫富瓦烯和氰基联苯单元的玻璃态液晶
孟子程1 赵海鹏2 夏艳1 李东风1 侯
2018
77
0
¥:0
收藏
超声细胞粉碎法提取西帕依固龈液药渣多糖的工艺优化及结构分析
鲁梦琪1 刘佳佳1 李柯翱2 田树革3
2018
147
0
¥:0
收藏
肼在Ir(100)表面吸附与解离的第一性原理研究
肖香珍 杨理 苏晓
2018
304
0
¥:0
收藏
体育器材中碳纤维材料的密度泛函理论研究
孙玲玲1 赵建飞2 潘意坤2 李安琪2
2018
463
0
¥:0
收藏