【摘要】采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜，并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2／Si复合材料．实验研究发现，在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2／Si复合材料的光电压增强，且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变，使复合材料的高温稳定性增强．另外，SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响．当SnO2掺杂量约为20％，煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强．
【关键词】
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