【摘要】采用密度泛函理论B3LYP方法在6-311＋＋G＊＊水平对依布硒啉及其6个衍生物进行结构优化,并分析了取代基对分子几何构型、电荷分布、前线轨道能级分布的影响.在相同计算水平上采用含时密度泛函理论方法进行了电子光谱研究,讨论了取代基对电子光谱的影响.计算结果表明,标题化合物分子为非平面结构,苯并异硒唑酮环与苯环之间存在一定的二面角,其大小易受取代基的影响而改变.分子中硒原子带正电荷,吸电子基团使硒原子电子云密度降低,所带正电荷增加;分子中含强吸电子基团的Ⅲ和Ⅴ可能具有比依布硒啉更好的GSH-Px活力.取代基团的引入均能降低了分子的ΔEgap,使λmax发生红移.
【关键词】
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