【摘要】分别在B3LYP／6-31G（d，p）和B3LYP／6—311＋＋G（d，p）水平下，对二氢硫手酸及可能的解离途径中形成的自由基进行结构优化，采用S—H键解离焓（EBD）和分子的电离势（EIP）为理论指标，探讨了二氢硫辛酸可能的抗氧化性机理，并研究了溶剂（水和苯）效应的影响．结果表明，C（1）上SH断裂形成的自由基b较易形成；以EBD和EIP为理论指标，可以较好的说明分子的抗氧化性及溶剂效应对抗氧化性的影响．随着溶剂的极性增加，EBD变化较小，而EIP则显著减小，表明溶剂效应对清除自由基的电子转移反应机理影响更大．分子最高占据轨诺HOMO能级顺序与EIP数值所预测的抗氧化性顺序一致．
【关键词】
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